可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。可以刻蝕Si, SiO2, 金屬薄膜等，氮?dú)?、氬氣?CHF3、SF6、 O2、 Cl2、 BCl3?。
